DMT69M8LPS-13
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- 制造商编号：
- DMT69M8LPS-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：19
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 19 | ￥9.125024 | ￥173.38 |
| 20 | ￥8.728134 | ￥174.56 |
| 50 | ￥8.331532 | ￥416.58 |
| 100 | ￥7.934785 | ￥793.48 |
| 300 | ￥7.934785 | ￥2380.44 |
| 500 | ￥7.934785 | ￥3967.39 |
| 1000 | ￥7.934785 | ￥7934.78 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
DMT69M8LPS-13
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI
包装
Digi-Reel®
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10.2A (Ta), 70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
12mOhm @ 13.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
33.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1925pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.3W (Ta), 113W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerDI5060-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
DMT69M8LPS-13 同类别型号
注
DMT69M8LPS-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMT69M8LPS-13
数据手册PDF
。
DMT69M8LPS-13
型号：DMT69M8LPS-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 19+： | ￥9.125024 |
| 20+： | ￥8.728134 |
| 50+： | ￥8.331532 |
| 100+： | ￥7.934785 |
| 300+： | ￥7.934785 |
| 500+： | ￥7.934785 |
| 1000+： | ￥7.934785 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00