货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.700805 | ¥2102.41 |
6000 | ¥0.671748 | ¥4030.49 |
9000 | ¥0.604523 | ¥5440.71 |
30000 | ¥0.595626 | ¥17868.78 |
75000 | ¥0.559754 | ¥41981.55 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 760 mA
漏源电阻 490 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 2.1 nC
耗散功率 313 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.2 ns
正向跨导(Min) 0.4 S
上升时间 8.2 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 0.7 mm
长度 1.6 mm
宽度 0.85 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 30 mg
购物车
0NTE4151PT1G
型号:NTE4151PT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.700805 |
6000+: | ¥0.671748 |
9000+: | ¥0.604523 |
30000+: | ¥0.595626 |
75000+: | ¥0.559754 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00