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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 18.6 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 11.3 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMN3029LFG-7
型号:DMN3029LFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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