
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥22.520536 | ¥22.52 |
| 10 | ¥18.472541 | ¥184.73 |
| 100 | ¥14.366107 | ¥1436.61 |
| 500 | ¥12.177053 | ¥6088.53 |
| 1000 | ¥9.919442 | ¥9919.44 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 186 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 72 ns
正向跨导(Min) 98 S
上升时间 204 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 126 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0SQD40031EL_GE3
型号:SQD40031EL_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥22.520536 |
| 10+: | ¥18.472541 |
| 100+: | ¥14.366107 |
| 500+: | ¥12.177053 |
| 1000+: | ¥9.919442 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.52