货期:(7~10天)
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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥7.413613 | ¥7.41 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 270 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 900 pC
耗散功率 600 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 39 ns
正向跨导(Min) 260 mS
上升时间 7.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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01HN04CH-TL-W
型号:1HN04CH-TL-W
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.413613 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.41