ECH8690-TL-H
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.510994 | ￥20.51 |
| 10 | ￥18.336334 | ￥183.36 |
| 100 | ￥14.298385 | ￥1429.84 |
| 500 | ￥11.81186 | ￥5905.93 |
| 1000 | ￥9.325212 | ￥9325.21 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 4.7 A, 3.5 A
漏源电阻 55 mOhms, 94 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 19.450 mg
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注
ECH8690-TL-H品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
ECH8690-TL-H
型号：ECH8690-TL-H
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥20.510994 |
| 10+： | ￥18.336334 |
| 100+： | ￥14.298385 |
| 500+： | ￥11.81186 |
| 1000+： | ￥9.325212 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥20.51