货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥6.36528 | ¥15913.20 |
5000 | ¥6.126015 | ¥30630.07 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 8.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 68 nC
耗散功率 227 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
上升时间 49 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDD86367_F085
单位重量 330 mg
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0FDD86367-F085
型号:FDD86367-F085
品牌:ON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥6.36528 |
5000+: | ¥6.126015 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00