货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥24.423008 | ¥24.42 |
10 | ¥20.310972 | ¥203.11 |
100 | ¥16.170275 | ¥1617.03 |
500 | ¥13.682617 | ¥6841.31 |
1000 | ¥11.609404 | ¥11609.40 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 8.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 68 nC
耗散功率 227 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
上升时间 49 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDD86367_F085
单位重量 330 mg
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0FDD86367-F085
型号:FDD86367-F085
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥24.423008 |
10+: | ¥20.310972 |
100+: | ¥16.170275 |
500+: | ¥13.682617 |
1000+: | ¥11.609404 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.42