TK4P60DB(T6RSS-Q)
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TK4P60DB(T6RSS-Q)
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 MOSVII
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 3.7 A
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.4 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 80 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
TK4P60DB(T6RSS-Q) 同类别型号
注
TK4P60DB(T6RSS-Q)品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购TK4P60DB(T6RSS-Q)、查询TK4P60DB(T6RSS-Q)代理商；
TK4P60DB(T6RSS-Q)价格批发咨询客服；这里拥有
TK4P60DB(T6RSS-Q)中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到TK4P60DB(T6RSS-Q)
替代型号
、TK4P60DB(T6RSS-Q)
数据手册PDF。
TK4P60DB(T6RSS-Q)
型号：TK4P60DB(T6RSS-Q)
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00