货期:国内(1~3工作日)
起订量:50
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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50 | ¥8.809404 | ¥440.47 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 2.51 Ohms
耗散功率 35 W
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK3A65DA(STA4,QM)
型号:TK3A65DA(STA4,QM)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
50+: | ¥8.809404 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00