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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 6.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPI80N06S2-07 SP001067874
单位重量 2.387 g
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0IPI80N06S207AKSA2
型号:IPI80N06S207AKSA2
品牌:INFINEON
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