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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 18 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 85 ns
正向跨导(Min) 7 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 0.85 mm
长度 3 mm
宽度 2.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
零件号别名 RQ1C075UN
单位重量 10 mg
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0RQ1C075UNTR
型号:RQ1C075UNTR
品牌:ROHM
供货:锐单
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