货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥20.634559 | ¥20.63 |
10 | ¥18.52168 | ¥185.22 |
25 | ¥17.466475 | ¥436.66 |
100 | ¥13.624987 | ¥1362.50 |
250 | ¥13.275805 | ¥3318.95 |
500 | ¥11.529158 | ¥5764.58 |
1000 | ¥9.782264 | ¥9782.26 |
2500 | ¥9.642517 | ¥24106.29 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 10.9 A
漏源电阻 146 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 11.4 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 7 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ16DN25NS3 G SP000781800
单位重量 38.760 mg
购物车
0BSZ16DN25NS3GATMA1
型号:BSZ16DN25NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.634559 |
10+: | ¥18.52168 |
25+: | ¥17.466475 |
100+: | ¥13.624987 |
250+: | ¥13.275805 |
500+: | ¥11.529158 |
1000+: | ¥9.782264 |
2500+: | ¥9.642517 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.63