货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥78.232366 | ¥78.23 |
10 | ¥71.929934 | ¥719.30 |
100 | ¥60.749967 | ¥6075.00 |
500 | ¥54.041165 | ¥27020.58 |
1000 | ¥49.568836 | ¥49568.84 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 69 A
漏源电阻 49 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 156 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 PolarHT HiPerFET Power MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0IXFH69N30P
型号:IXFH69N30P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥78.232366 |
10+: | ¥71.929934 |
100+: | ¥60.749967 |
500+: | ¥54.041165 |
1000+: | ¥49.568836 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥78.23