货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.850252 | ¥7.85 |
10 | ¥6.766171 | ¥67.66 |
100 | ¥4.683984 | ¥468.40 |
500 | ¥3.913414 | ¥1956.71 |
1000 | ¥3.330626 | ¥3330.63 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 11.7 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 1.97 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13.5 ns
上升时间 2.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21.6 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN2011UFDE-7
型号:DMN2011UFDE-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.850252 |
10+: | ¥6.766171 |
100+: | ¥4.683984 |
500+: | ¥3.913414 |
1000+: | ¥3.330626 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.85