货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥69.331321 | ¥69.33 |
10 | ¥62.620912 | ¥626.21 |
100 | ¥51.845459 | ¥5184.55 |
500 | ¥45.146401 | ¥22573.20 |
1000 | ¥39.321062 | ¥39321.06 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30.8 A
漏源电阻 73 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 86 nC
耗散功率 230 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.5 ns
上升时间 32 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 165 ns
典型接通延迟时间 70 ns
高度 20 mm
长度 15.5 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
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0TK31J60W5,S1VQ
型号:TK31J60W5,S1VQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥69.331321 |
10+: | ¥62.620912 |
100+: | ¥51.845459 |
500+: | ¥45.146401 |
1000+: | ¥39.321062 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥69.33