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FQB10N20CTM

ON(安森美)
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制造商编号:
FQB10N20CTM
制造商:
ON(安森美)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
渠道:
国内现货
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数量 价格 总计
409 2.645681 1082.08

规格参数

属性
参数值

制造商型号

FQB10N20CTM

制造商

ON(安森美)

商品描述

MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

零件状态

Obsolete

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

9.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

360mOhm @ 4.75A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

26nC @ 10V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

510pF @ 25V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

72W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

D²PAK (TO-263AB)

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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