货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥19.294268 | ¥19.29 |
10 | ¥15.818827 | ¥158.19 |
100 | ¥12.300096 | ¥1230.01 |
500 | ¥10.426079 | ¥5213.04 |
1000 | ¥8.49319 | ¥8493.19 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7386DP-E3
单位重量 506.600 mg
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0SI7386DP-T1-E3
型号:SI7386DP-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.294268 |
10+: | ¥15.818827 |
100+: | ¥12.300096 |
500+: | ¥10.426079 |
1000+: | ¥8.49319 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.29