SIR838DP-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIR838DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
- 渠道：
- 国内现货digikey
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIR838DP-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
33mOhm @ 8.3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
50nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2075pF @ 75V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5.4W (Ta), 96W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
SIR838DP-T1-GE3 同类别型号
注
SIR838DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
SIR838DP-T1-GE3
型号：SIR838DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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