货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥3.824368 | ¥11473.10 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 40.1 nC
耗散功率 65.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.4 ns
上升时间 10.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24.6 ns
典型接通延迟时间 5.16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
购物车
0DMTH43M8LFGQ-13
型号:DMTH43M8LFGQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥3.824368 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00