货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.733932 | ¥8.73 |
10 | ¥6.433775 | ¥64.34 |
30 | ¥6.017079 | ¥180.51 |
100 | ¥5.59205 | ¥559.21 |
500 | ¥5.40037 | ¥2700.18 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 75 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIR418DP-GE3
单位重量 506.600 mg
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0SIR418DP-T1-GE3
型号:SIR418DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.733932 |
10+: | ¥6.433775 |
30+: | ¥6.017079 |
100+: | ¥5.59205 |
500+: | ¥5.40037 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.73