SIR878DP-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIR878DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥18.051604 | ￥180.52 |
| 20 | ￥17.357333 | ￥347.15 |
| 50 | ￥16.662919 | ￥833.15 |
| 100 | ￥15.968648 | ￥1596.86 |
| 300 | ￥15.274523 | ￥4582.36 |
| 500 | ￥14.580108 | ￥7290.05 |
| 1000 | ￥13.885837 | ￥13885.84 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIR878DP-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
14mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
43nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1250pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5W (Ta), 44.5W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
SIR878DP-T1-GE3 同类别型号
注
SIR878DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIR878DP-T1-GE3
数据手册PDF。
SIR878DP-T1-GE3
型号：SIR878DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥18.051604 |
| 20+： | ￥17.357333 |
| 50+： | ￥16.662919 |
| 100+： | ￥15.968648 |
| 300+： | ￥15.274523 |
| 500+： | ￥14.580108 |
| 1000+： | ￥13.885837 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00