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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 11.3 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导(Min) 11.4 S
上升时间 102 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 6.35 mm
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FETs - MOSFETs
单位重量 771.020 mg
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0NTD4808N-1G
型号:NTD4808N-1G
品牌:ON
供货:锐单
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