货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥10.05354 | ¥10053.54 |
2000 | ¥9.466445 | ¥18932.89 |
5000 | ¥9.082139 | ¥45410.69 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 210 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 64 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.5 ns
上升时间 16.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB60R210CFD7 SP002621142
单位重量 4 g
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0IPB60R210CFD7ATMA1
型号:IPB60R210CFD7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥10.05354 |
2000+: | ¥9.466445 |
5000+: | ¥9.082139 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00