货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.066507 | ¥8.07 |
10 | ¥7.232278 | ¥72.32 |
100 | ¥5.637592 | ¥563.76 |
500 | ¥4.657201 | ¥2328.60 |
1000 | ¥3.67681 | ¥3676.81 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 43 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 2.6 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 6.4 ns
高度 6.22 mm
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFU220NPBF SP001567710
单位重量 340 mg
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0IRFU220NPBF
型号:IRFU220NPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.066507 |
10+: | ¥7.232278 |
100+: | ¥5.637592 |
500+: | ¥4.657201 |
1000+: | ¥3.67681 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.07