
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥23.25322 | ¥23.25 |
| 10 | ¥15.72652 | ¥157.27 |
| 100 | ¥11.054458 | ¥1105.45 |
| 500 | ¥8.965341 | ¥4482.67 |
| 1000 | ¥8.281973 | ¥8281.97 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 75 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIR418DP-GE3
单位重量 506.600 mg
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0SIR418DP-T1-GE3
型号:SIR418DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥23.25322 |
| 10+: | ¥15.72652 |
| 100+: | ¥11.054458 |
| 500+: | ¥8.965341 |
| 1000+: | ¥8.281973 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥23.25