
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.207444 | ¥8.21 |
| 75 | ¥3.591073 | ¥269.33 |
| 150 | ¥3.203871 | ¥480.58 |
| 525 | ¥2.652015 | ¥1392.31 |
| 1050 | ¥2.412863 | ¥2533.51 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 9.1 A
漏源电阻 210 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 16.7 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 6.22 mm
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFU120NPBF SP001557678
单位重量 340 mg
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0IRFU120NPBF
型号:IRFU120NPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.207444 |
| 75+: | ¥3.591073 |
| 150+: | ¥3.203871 |
| 525+: | ¥2.652015 |
| 1050+: | ¥2.412863 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.21