货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥88.274389 | ¥88.27 |
10 | ¥81.149133 | ¥811.49 |
100 | ¥68.538205 | ¥6853.82 |
500 | ¥60.969256 | ¥30484.63 |
1000 | ¥57.337908 | ¥57337.91 |
制造商 IXYS
商标名 HyperFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 6 A
漏源电阻 2.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 28 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0IXFH6N120
型号:IXFH6N120
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥88.274389 |
10+: | ¥81.149133 |
100+: | ¥68.538205 |
500+: | ¥60.969256 |
1000+: | ¥57.337908 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥88.27