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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20.2 A
漏源电阻 199 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 57 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 21 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FCPF190N60_F152
单位重量 2 g
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0FCPF190N60-F152
型号:FCPF190N60-F152
品牌:ON
供货:锐单
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