商品描述
MOSFET N-CHANNEL 1200V 28A DIE
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
28A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
220mOhm @ 10A, 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
47.1nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
928pF @ 800V