货期:(7~10天)
起订量:60
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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60 | ¥93.088181 | ¥5585.29 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 65 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 136 nC
耗散功率 417 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 46 S
上升时间 51 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 95 ns
典型接通延迟时间 35 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0FCHD040N65S3-F155
型号:FCHD040N65S3-F155
品牌:ON
供货:锐单
单价:
60+: | ¥93.088181 |
货期:7-10天
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