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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 115 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 4 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 17.6 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 15 mg
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0DMP3098LDM-7
型号:DMP3098LDM-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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