
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥18.871196 | ¥18.87 |
| 10 | ¥16.831443 | ¥168.31 |
| 100 | ¥13.119644 | ¥1311.96 |
| 500 | ¥10.837617 | ¥5418.81 |
| 1000 | ¥8.556007 | ¥8556.01 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 125 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 11.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 24.8 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 37 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SIR696DP-T1-GE3
型号:SIR696DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥18.871196 |
| 10+: | ¥16.831443 |
| 100+: | ¥13.119644 |
| 500+: | ¥10.837617 |
| 1000+: | ¥8.556007 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.87