CSD25211W1015
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- 制造商编号：
- CSD25211W1015
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
- 渠道：
- digikey
库存 ：383
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.000907 | ￥9.00 |
| 10 | ￥7.715063 | ￥77.15 |
| 100 | ￥5.364826 | ￥536.48 |
| 500 | ￥4.188995 | ￥2094.50 |
| 1000 | ￥3.404772 | ￥3404.77 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.2 A
漏源电阻 44 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 3.4 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14.2 ns
正向跨导（Min） 12 S
上升时间 8.8 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 36.9 ns
典型接通延迟时间 13.6 ns
外形参数
高度 0.625 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.700 mg
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注
CSD25211W1015品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF
。
CSD25211W1015
型号：CSD25211W1015
品牌：TI
供货：锐单
库存：383 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.000907 |
| 10+： | ￥7.715063 |
| 100+： | ￥5.364826 |
| 500+： | ￥4.188995 |
| 1000+： | ￥3.404772 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥9.00