货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.850252 | ¥7.85 |
10 | ¥6.728788 | ¥67.29 |
100 | ¥4.679 | ¥467.90 |
500 | ¥3.653483 | ¥1826.74 |
1000 | ¥2.969514 | ¥2969.51 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.2 A
漏源电阻 44 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 3.4 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14.2 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 8.8 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 36.9 ns
典型接通延迟时间 13.6 ns
高度 0.625 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.700 mg
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0CSD25211W1015
型号:CSD25211W1015
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.850252 |
10+: | ¥6.728788 |
100+: | ¥4.679 |
500+: | ¥3.653483 |
1000+: | ¥2.969514 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.85