货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥18.892969 | ¥18.89 |
10 | ¥16.85353 | ¥168.54 |
100 | ¥13.137494 | ¥1313.75 |
500 | ¥10.852572 | ¥5426.29 |
1000 | ¥8.567899 | ¥8567.90 |
2000 | ¥7.99673 | ¥15993.46 |
5000 | ¥7.596851 | ¥37984.25 |
10000 | ¥7.31133 | ¥73113.30 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.4 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 3 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 15 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK5A60D(STA4,Q,M)
型号:TK5A60D(STA4,Q,M)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.892969 |
10+: | ¥16.85353 |
100+: | ¥13.137494 |
500+: | ¥10.852572 |
1000+: | ¥8.567899 |
2000+: | ¥7.99673 |
5000+: | ¥7.596851 |
10000+: | ¥7.31133 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.89