
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.662215 | ¥21.66 |
| 10 | ¥19.323844 | ¥193.24 |
| 100 | ¥15.063129 | ¥1506.31 |
| 500 | ¥12.443292 | ¥6221.65 |
| 1000 | ¥9.823743 | ¥9823.74 |
| 2000 | ¥9.168855 | ¥18337.71 |
| 5000 | ¥8.710362 | ¥43551.81 |
| 10000 | ¥8.382992 | ¥83829.92 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.4 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 3 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 15 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK5A60D(STA4,Q,M)
型号:TK5A60D(STA4,Q,M)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.662215 |
| 10+: | ¥19.323844 |
| 100+: | ¥15.063129 |
| 500+: | ¥12.443292 |
| 1000+: | ¥9.823743 |
| 2000+: | ¥9.168855 |
| 5000+: | ¥8.710362 |
| 10000+: | ¥8.382992 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.66