
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.766221 | ¥7.77 |
| 10 | ¥6.930683 | ¥69.31 |
| 100 | ¥5.404754 | ¥540.48 |
| 500 | ¥4.46456 | ¥2232.28 |
| 1000 | ¥3.524686 | ¥3524.69 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 79 A
漏源电阻 7.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF1018EPBF SP001574502
单位重量 2 g
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0IRF1018EPBF
型号:IRF1018EPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.766221 |
| 10+: | ¥6.930683 |
| 100+: | ¥5.404754 |
| 500+: | ¥4.46456 |
| 1000+: | ¥3.524686 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥7.77