IRF1018EPBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRF1018EPBF
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.767375 | ￥5.77 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 79 A
漏源电阻 7.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF1018EPBF SP001574502
单位重量 2 g
IRF1018EPBF 同类别型号
注
IRF1018EPBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IRF1018EPBF
数据手册PDF。
IRF1018EPBF
型号：IRF1018EPBF
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.767375 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.77