货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥27.91201 | ¥27.91 |
10 | ¥23.176937 | ¥231.77 |
100 | ¥18.450587 | ¥1845.06 |
500 | ¥15.611785 | ¥7805.89 |
1000 | ¥13.246367 | ¥13246.37 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 72 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60R180P7 SP001606052
单位重量 330 mg
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0IPD60R180P7ATMA1
型号:IPD60R180P7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥27.91201 |
10+: | ¥23.176937 |
100+: | ¥18.450587 |
500+: | ¥15.611785 |
1000+: | ¥13.246367 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥27.91