货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥3.45097 | ¥8627.42 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 54 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 3.6 S
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0FCD600N65S3R0
型号:FCD600N65S3R0
品牌:ON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥3.45097 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00