RS1E200BNTB
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RS1E200BNTB
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：427
货期：（7~10天）
起订量：70
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 70 | ￥2.729398 | ￥191.06 |
| 100 | ￥2.615632 | ￥261.56 |
| 300 | ￥2.501865 | ￥750.56 |
| 500 | ￥2.388265 | ￥1194.13 |
| 1000 | ￥2.274499 | ￥2274.50 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 59 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
上升时间 65 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 105 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS1E200BN
单位重量 771.020 mg
RS1E200BNTB 同类别型号
注
RS1E200BNTB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RS1E200BNTB
数据手册PDF。
RS1E200BNTB
型号：RS1E200BNTB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：427 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 70+： | ￥2.729398 |
| 100+： | ￥2.615632 |
| 300+： | ￥2.501865 |
| 500+： | ￥2.388265 |
| 1000+： | ￥2.274499 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00