
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.245472 | ¥9.25 |
| 10 | ¥8.303258 | ¥83.03 |
| 100 | ¥6.676173 | ¥667.62 |
| 500 | ¥5.48498 | ¥2742.49 |
| 1000 | ¥4.544768 | ¥4544.77 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 1.8 A
漏源电阻 6.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 54 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 8,2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFBE20PBF-BE3
单位重量 2 g
购物车
0IRFBE20PBF
型号:IRFBE20PBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.245472 |
| 10+: | ¥8.303258 |
| 100+: | ¥6.676173 |
| 500+: | ¥5.48498 |
| 1000+: | ¥4.544768 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.25