货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.307288 | ¥11.31 |
10 | ¥10.154953 | ¥101.55 |
100 | ¥8.165014 | ¥816.50 |
500 | ¥6.708175 | ¥3354.09 |
1000 | ¥5.558289 | ¥5558.29 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 1.8 A
漏源电阻 6.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 54 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 8,2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFBE20PBF-BE3
单位重量 2 g
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0IRFBE20PBF
型号:IRFBE20PBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.307288 |
10+: | ¥10.154953 |
100+: | ¥8.165014 |
500+: | ¥6.708175 |
1000+: | ¥5.558289 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥11.31