货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥11.941316 | ¥11.94 |
10 | ¥10.661378 | ¥106.61 |
100 | ¥8.310298 | ¥831.03 |
500 | ¥6.865184 | ¥3432.59 |
1000 | ¥6.022142 | ¥6022.14 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 84 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 130 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF1010EPBF SP001569818
单位重量 2 g
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0IRF1010EPBF
型号:IRF1010EPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.941316 |
10+: | ¥10.661378 |
100+: | ¥8.310298 |
500+: | ¥6.865184 |
1000+: | ¥6.022142 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥11.94