IXTA6N100D2HV
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- 制造商编号：
- IXTA6N100D2HV
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- DISCMOSFET N-CH DEPL MODE-D2 TO-
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：300
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 300 | ￥137.692708 | ￥41307.81 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 6 A
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 95 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 47 ns
正向跨导（Min） 2.6 S
上升时间 80 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.500 g
IXTA6N100D2HV 同类别型号
注
IXTA6N100D2HV品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXTA6N100D2HV
数据手册PDF。
IXTA6N100D2HV
型号：IXTA6N100D2HV
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 300+： | ￥137.692708 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00