
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14.265801 | ¥14.27 |
| 10 | ¥12.804142 | ¥128.04 |
| 100 | ¥10.29301 | ¥1029.30 |
| 500 | ¥8.456814 | ¥4228.41 |
| 1000 | ¥7.007081 | ¥7007.08 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 4.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 12.7 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 52 ns
正向跨导(Min) 340 mS
上升时间 54 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 28 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP08N50D2
型号:IXTP08N50D2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥14.265801 |
| 10+: | ¥12.804142 |
| 100+: | ¥10.29301 |
| 500+: | ¥8.456814 |
| 1000+: | ¥7.007081 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥14.27