SIZ300DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ300DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.633707 | ￥7901.12 |
| 6000 | ￥2.508295 | ￥15049.77 |
| 9000 | ￥2.392553 | ￥21532.98 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 11 A, 28 A
漏源电阻 24 mOhms, 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12 nC, 22 nC
耗散功率 16.7 W, 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
外形参数
高度 0.75 mm
长度 3 mm
宽度 3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIZ300DT-GE3
单位重量 143.050 mg
SIZ300DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ300DT-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SIZ300DT-T1-GE3
数据手册PDF。
SIZ300DT-T1-GE3
型号：SIZ300DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.633707 |
| 6000+： | ￥2.508295 |
| 9000+： | ￥2.392553 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00