搜索

SIZ300DT-T1-GE3

SILICONIX(威世)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
SIZ300DT-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
渠道:
digikey

库存 :13

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 15.430127 15.43
10 12.629845 126.30
100 9.818134 981.81
500 8.321983 4160.99
1000 6.779257 6779.26

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 11 A, 28 A

漏源电阻 24 mOhms, 11 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 12 nC, 22 nC

耗散功率 16.7 W, 31 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

外形参数

高度 0.75 mm

长度 3 mm

宽度 3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SIZ300DT-GE3

单位重量 143.050 mg

SIZ300DT-T1-GE3 相关产品

SIZ300DT-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 射频晶体管 ,可在锐单商城现货采购SIZ300DT-T1-GE3、查询SIZ300DT-T1-GE3代理商; SIZ300DT-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SIZ300DT-T1-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到SIZ300DT-T1-GE3 替代型号 、SIZ300DT-T1-GE3 数据手册PDF

购物车

SIZ300DT-T1-GE3

锐单logo

型号:SIZ300DT-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:13 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥15.430127
10+: ¥12.629845
100+: ¥9.818134
500+: ¥8.321983
1000+: ¥6.779257

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥15.43