
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥15.430127 | ¥15.43 |
| 10 | ¥12.629845 | ¥126.30 |
| 100 | ¥9.818134 | ¥981.81 |
| 500 | ¥8.321983 | ¥4160.99 |
| 1000 | ¥6.779257 | ¥6779.26 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 11 A, 28 A
漏源电阻 24 mOhms, 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12 nC, 22 nC
耗散功率 16.7 W, 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
高度 0.75 mm
长度 3 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIZ300DT-GE3
单位重量 143.050 mg
购物车
0SIZ300DT-T1-GE3
型号:SIZ300DT-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥15.430127 |
| 10+: | ¥12.629845 |
| 100+: | ¥9.818134 |
| 500+: | ¥8.321983 |
| 1000+: | ¥6.779257 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.43