QS8K13TCR

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 6 A

漏源电阻 20 mOhms, 20 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 20 nC

耗散功率 1.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 7 ns, 7 ns

正向跨导（Min） 3 S, 3 S

上升时间 40 ns, 40 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 35 ns, 35 ns

典型接通延迟时间 8 ns, 8 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 QS8K13

单位重量 10 mg