货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.041826 | ¥3125.48 |
6000 | ¥0.941005 | ¥5646.03 |
15000 | ¥0.87379 | ¥13106.85 |
30000 | ¥0.853625 | ¥25608.75 |
75000 | ¥0.82674 | ¥62005.50 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 157 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 6.74 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8.500 mg
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0SSM6P69NU,LF
型号:SSM6P69NU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.041826 |
6000+: | ¥0.941005 |
15000+: | ¥0.87379 |
30000+: | ¥0.853625 |
75000+: | ¥0.82674 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00