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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥48.961692 | ¥48.96 |
10 | ¥44.255536 | ¥442.56 |
100 | ¥36.640847 | ¥3664.08 |
500 | ¥31.906256 | ¥15953.13 |
1000 | ¥27.789348 | ¥27789.35 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 150 A
耗散功率 455 W
集电极连续电流(Max) 150 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.289 g
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0FGH75T65SHDTL4
型号:FGH75T65SHDTL4
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥48.961692 |
10+: | ¥44.255536 |
100+: | ¥36.640847 |
500+: | ¥31.906256 |
1000+: | ¥27.789348 |
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单价:¥0.00总价:¥48.96