货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.56021 | ¥5.56 |
10 | ¥4.794136 | ¥47.94 |
25 | ¥4.472879 | ¥111.82 |
100 | ¥3.577069 | ¥357.71 |
500 | ¥2.810748 | ¥1405.37 |
1000 | ¥2.171941 | ¥2171.94 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 157 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 6.74 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8.500 mg
购物车
0SSM6P69NU,LF
型号:SSM6P69NU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.56021 |
10+: | ¥4.794136 |
25+: | ¥4.472879 |
100+: | ¥3.577069 |
500+: | ¥2.810748 |
1000+: | ¥2.171941 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.56