
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.649086 | ¥7.65 |
| 10 | ¥5.094291 | ¥50.94 |
| 100 | ¥3.452798 | ¥345.28 |
| 500 | ¥2.698598 | ¥1349.30 |
| 1000 | ¥2.44878 | ¥2448.78 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 157 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 6.74 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8.500 mg
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0SSM6P69NU,LF
型号:SSM6P69NU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.649086 |
| 10+: | ¥5.094291 |
| 100+: | ¥3.452798 |
| 500+: | ¥2.698598 |
| 1000+: | ¥2.44878 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.65